随着集成电路特征尺寸的逐渐减小，超低介电常数绝缘介质材料可应用于大规模集成电路、在CPU生成中替代传统SiO2以及其他现有低介电薄膜，可十分有效地减少发热和延迟。
我校研究人员已获得低于2.0的超低介电常数的纳米孔氧化硅薄膜材料，优点显著：
1、介电常数低与2.0；
2、薄膜中的纳米微孔分布均匀；
3、薄膜中的微孔大小尺寸可调；
4、薄膜的刚性、柔性可调控；
5、薄膜电学性质稳定；
6、与硅片的粘附性好。国内处于领先位置，和国外报道的相近，有较好的发展前景。（专利号：ZL200410044831.5，ZL200510037695.1)。
